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# 中国芯片堆叠策略应对美限制 性能差距待解
面对美国半导体技术出口管制，中国正探索“芯片堆叠策略”作为创新应对。该策略核心是通过堆叠国内可生产的成熟芯片，而非直接追赶先进制程，以规避技术封锁。
清华大学教授、中国半导体行业协会副理事长魏少军提出，采用14纳米逻辑芯片与18纳米DRAM通过3D混合键合技术垂直堆叠，构建“软件定义近存计算”架构。该方案利用中国厂商仍可实现的技术边界，通过亚10微米铜-铜直接连接消除数据传输瓶颈，缩短处理器与内存间的物理距离。
魏少军称，此架构可媲美Nvidia 4nm GPU，达到2 TFLOPS/W能效比及120 TFLOPS算力，但对比Nvidia A100的312 TFLOPS，实际性能差距超2.5倍。这一差距凸显先进制程（如更小晶体管尺寸）在能效、密度和散热上的不可替代性。
战略层面，该策略旨在避开TSMC、三星主导的3nm/2nm制程竞争，转而通过系统架构与软件优化构建差异化优势。同时可规避对Nvidia CUDA软件生态的依赖，为中国AI芯片发展提供新路径。
尽管3D堆叠技术在存储等领域已有应用，但其能否填补先进制程性能鸿沟仍存疑。中国芯片产业需在硬件架构创新与实际性能验证中寻找平衡。